← Volver al registro

Nitruro de indio-aluminio (InAlN)

Luis Fernando Mulcue Nieto; Wilmer de Jesús Saldarriaga Agudelo

Editorial UNAL ·Colombia ·Español
Impreso ISBN 9789585052154 E-book ISBN 9789585052161

Licencia de minería de texto y datos

Declarado por la editorial el 28 agosto 2026 a las 14:04:00 UTC

Uso no permitido para minería de datos y textos
Impreso 9789585052154 Reserva de derechos en la declaración de copyright (español, inglés y portugués)
E-book 9789585052161 Restricción de uso en metadatos ONIX — minería de texto y datos no permitida

El titular de derechos se reserva expresamente sus derechos de reproducción, extracción y reutilización para fines de minería de textos y datos (TDM) y de entrenamiento de modelos de inteligencia artificial, de conformidad con el Art. 4(3) de la Directiva (UE) 2019/790, el Art. 53(1)(c) del Reglamento (UE) 2024/1689 (AI Act), el Art. 13 del Acuerdo ADPIC/TRIPS de la OMC, la Decisión Andina 351 de 1993 y las leyes nacionales aplicables en los territorios de residencia del titular, de realización de la reproducción y/o comercialización del Large Language Model u otro tipo de IA resultante.

Esta reserva cubre toda reproducción digital de la obra con independencia del soporte de la copia de origen (impreso o digital) y es efectiva desde la fecha certificada de esta declaración.

En América Latina, donde no existe excepción legal para el entrenamiento de IA, esta declaración constituye evidencia pública de que el titular no ha otorgado autorización. En la Unión Europea, activa la reserva máquina-legible exigida por el Art. 4(3) CDSM y el Art. 53(1)(c) AI Act. En Estados Unidos, señaliza la existencia de un mercado de licencias TDM a efectos del factor 4 del análisis de fair use.

Cualquier uso de la obra para los fines aquí reservados requiere autorización previa y expresa del titular de derechos.

Sello de integridad

Declaración sellada
Sellado de tiempo (RFC 3161) TSA · 28 ago. 2026, 14:04:00 UTC
ISCC (ISO 24138) ISCC:AAAVJVQAQUBRCD4X
Titular Editorial UNAL

Formatos

FormatoISBNRecordreferenceDOIAño
Impreso · ed. 1 9789585052154 SIMEHPRINTMYGY1FUZ906KXJWP8HCF 2023
E-book · ed. 1 9789585052161 SIMEHEBOOK5AQNR5076AMK4JVAE88Q 2023

Sobre esta obra

La aleación ternaria semiconductora de nitruro de indio y aluminio (InxAl1-xN) despierta cada vez mayor interés en la industria, debido a sus potenciales aplicaciones en dispositivos optoelectrónicos y fotovoltaicos. Debido a esto, en la última década han aumentado las investigaciones de este interesante material, especialmente para su empleo en futuras aplicaciones en celdas solares. En este libro presentamos las propiedades químicas, físicas, estructurales, morfológicas, ópticas y eléctricas de este semiconductor. El principal aporte es usar diversas estrategias para obtenerlo a un costo menor respecto a los métodos epitaxiales usados en celdas solares multiunión con eficiencia récord mundial. Para esto se obtuvo el material tanto por magnetrón sputtering Radio Frequency como por sputter ing Direct Current; mediante el uso de un único blanco de InAl y a temperatura ambiente. Asimismo, se sintetizaron películas amorfas, policristalinas y altamente cristalinas, lo cual permite alto grado de versatilidad en la metodología propuesta.

Editorial

Editorial UNAL · Colombia

Año de publicación

2023

Idioma

Español

Colección

Colección Techné